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| 솔라앤에너지, ‘GaN-On-Si 관련 기술의 핵심특허분석 리포트’ 발행 |
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| 총 195건의 유효특허를 선정하여 정량분석과 심층분석 실시 |
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서울시민신문 
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| ▲ 솔라앤에너지의 'GaN on Si 핵심 특허 동향 분석' 리포트 표지. © 서울시민신문 | |
LED 저가격화에 대응하기 위하여 사파이어 기판의 대구경화가 진행되고 있으나 사파이어 단결정은 실리콘 단결정처럼 크게 성장시키기가 어렵기 때문에 사파이어 웨이퍼 대신 반도체 공정에 사용돼 보편화된 실리콘을 LED 제조 공정에 적용하려는 연구가 최근 다시 활발해지고 있다.
실리콘 기판은 저가형, 대구경의 기판으로서 열전도성, 전기전도성, 공정의 용이성 등의 측면에서 질화물계 LED의 대표적인 기판인 사파이어에 비해 많은 장점을 갖는다. 그럼에도 불구하고 아직까지 상용화의 문턱을 넘기 힘든 이유는 실리콘과 GaN 재료간의 높은 열팽창계수 차에 의한 크랙 발생을 제어하기 힘들기 때문이며, 또한 Si 기판이 갖는 에너지대가 가시광에 불투명하기 때문에 광 손실이 크기 때문이다.
그러나 최근 에피 기술의 발전으로 열팽창계수 차에 의한 크랙 발생을 어느 정도 제어할 수 있게 되고 Si 기판 자체에 의한 광 손실도 제2의 기판을 이용한 웨이퍼 본딩 공법을 사용함으로써 성능에 있어서 상당한 진보를 이루게 되었다. 이에 따라 최근 LED 업계의 강자인 필립스, 오슬람을 비롯하여 국내의 삼성과 LG에서도 활발한 연구가 진행되고 있다.
이에, 솔라앤에너지에서는 GaN-On-Si(Gallium Nitride on Silicon) 관련 기술의 핵심특허분석 리포트를 발행하게 되었다. 이 보고서는 2012년 3월 31일까지 발행된 한국, 미국, 일본, 유럽, PCT 특허를 대상으로 하였으며, 총 195건의 유효특허를 선정하여 정량분석과 심층분석을 실시하였다.
GaN 디바이스의 시장창출 확대와 관련하여 GaN-On-Si의 기술개발이 활발해지고 있다. 이보고서에서는 GaN-On-Si 관련기술의 연도별/기술별/출원인별 특허출원 동향분석과 핵심특허 기술전개도 등의 심층분석 결과를 제공하고 있으며, 이를 통하여 GaN-On-Si 기술 분야의 기술개발 동향 및 핵심특허를 살펴보는데 큰 도움이 될 것으로 기대된다.
이 리포트는 핵심특허의 심층분석은 미국특허를 중심으로, 핵심특허 현황, 핵심특허동향 분석, 기술전개도 등을 기본내용으로 심층 분석하였다.
한편, 결론은 전제 특허출원동향 분석결과(요약), 주요기업 핵심기술 동향, 이슈특허사례, 시사점 등으로 구성되며, 핵심특허 97건(KR, US, JP, EP, PCT)의 특허요지를 첨부하였다.
총 109 page로 구성된 이 리포트는 전 세계 주요 특허 195건을 분석하였으며, 핵심특허 요지 97건을 첨부했다. 전체 특허 출원 동형 분석, 핵심 특허 동향 분석, 이슈 특허 사례 분석 등이 실려 있으며, GaN on Si 주요 기술별 기술발전도 작성되었다.
/ 엄재성 기자 news@seoulnewspaper.kr
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| 기사입력: 2012/07/10 [16:11] 최종편집: ⓒ 서울시민신문 |
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